型号:

IX6R11S6T/R

RoHS:无铅 / 符合
制造商:IXYS描述:IC DRVR HALF BRIDGE 4A 18-SOIC
详细参数
数值
产品分类 集成电路 (IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
IX6R11S6T/R PDF
产品变化通告 Discontinuation Notice 15/Jun/2010
标准包装 1,000
系列 -
配置 高端和低端,同步
输入类型 非反相
延迟时间 120ns
电流 - 峰 6A
配置数 1
输出数 2
高端电压 - 最大(自引导启动) 600V
电源电压 10 V ~ 35 V
工作温度 -40°C ~ 125°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 18-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商设备封装 18-SOIC
包装 带卷 (TR)
配用 EV6R11S6-ND - BOARD EVALUATION IX6R11S6
相关参数
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BAT 15-07LRH E6327 Infineon Technologies DIODE SCHOTTKY 4V 110MA TSLP-4
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K682J10X7RF5UH5 Vishay BC Components CAP CER 6800PF 50V 5% RADIAL
395-070-524-201 EDAC Inc CARD EDGE 70POS DL .100X.200 BLK
B45197A3476K309 Kemet CAP TANT 47UF 16V 10% 2312
IX6R11S3T/R IXYS IC DRVR HALF BRIDGE 4A 16-SOIC
C0805C560M5GACTU Kemet CAP CER 56PF 50V 20% NP0 0805
TR3E227K016C0100 Vishay Sprague CAP TANT 220UF 16V 10% 2917
S391K29X7RP65L7R Vishay BC Components CAP CER 390PF 2KV 10% RADIAL